MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 168-8971
- Nº ref. fabric.:
- IRLR2905ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
822,00 €
(exc. IVA)
994,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 06 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,411 € | 822,00 € |
| 4000 + | 0,401 € | 802,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-8971
- Nº ref. fabric.:
- IRLR2905ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 7.49 mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 7.49 mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines