MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
222-4663
Nº ref. fabric.:
IPD30N06S215ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.5mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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