MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD30N06S215ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4664
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N06S215ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
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8,60 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,86 € | 8,60 € |
| 100 - 240 | 0,818 € | 8,18 € |
| 250 - 490 | 0,782 € | 7,82 € |
| 500 - 990 | 0,749 € | 7,49 € |
| 1000 + | 0,697 € | 6,97 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4664
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N06S215ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
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