MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 42 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2606
- Nº ref. fabric.:
- IRLR2905TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 215-2606
- Nº ref. fabric.:
- IRLR2905TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 55 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 42 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.3 V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 27 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 110 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | HEXFET | |
| Certificaciones y estándares | EIA-481, EIA-541 | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 48 nC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 55 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 42 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.3 V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 27 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 110 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie HEXFET | ||
Certificaciones y estándares EIA-481, EIA-541 | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 48 nC | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFET series has 55V maximum drain source voltage it is a single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package type. The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-pack is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering technique.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Lead-Free
Fully avalanche rated
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