MOSFET Infineon IRLR2905TRLPBF, VDSS 55 V, ID 42 A, DPAK (TO-252) de 3 pines
- Código RS:
- 215-2606
- Nº ref. fabric.:
- IRLR2905TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
220 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,645 €
(exc. IVA)
0,78 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,645 € | 1.935,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2606
- Nº ref. fabric.:
- IRLR2905TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La serie MOSFET Infineon HEXFET Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 55V y es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un tipo de encapsulado D-Pak. El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete D está diseñado para montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Sin plomo
Valor nominal de avalancha total
Resistencia de encendido ultrabaja
Sin plomo
Valor nominal de avalancha total
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 42 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.027 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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