MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 42 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9128
Nº ref. fabric.:
IRFR4104TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

2.39 mm

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon HEXFET Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Viene con Advanced Process Technology

El MOSFET no tiene plomo

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