MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 42 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7489
- Nº ref. fabric.:
- IRFR1010ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7489
- Nº ref. fabric.:
- IRFR1010ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 460nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 366W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 20.7mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 460nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 366W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 20.7mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Anchura 5.31 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon OptiMOS de potencia de canal N se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Nivel normal : optimizado para una tensión de accionamiento de puerta de 10 V.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capaz de soldarse por ola
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