MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLR2905TRLPBF, VDSS 55 V, ID 42 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
215-2607
Nº ref. fabric.:
IRLR2905TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

EIA-481, EIA-541

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon HEXFET Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 55V y es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un tipo de encapsulado D-Pak. El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete D está diseñado para montaje en superficie con técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Sin plomo

Valor nominal de avalancha total

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