MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFSL4410ZPBF, VDSS 100 V, ID 97 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2603
- Nº ref. fabric.:
- IRFSL4410ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
15,34 €
(exc. IVA)
18,56 €
(inc.IVA)
Añade 30 unidades para conseguir entrega gratuita
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1085 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,068 € | 15,34 € |
| 25 - 45 | 2,76 € | 13,80 € |
| 50 - 120 | 2,578 € | 12,89 € |
| 125 - 245 | 2,392 € | 11,96 € |
| 250 + | 2,208 € | 11,04 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2603
- Nº ref. fabric.:
- IRFSL4410ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 97A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 120nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 97A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 120nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia Infineon Strong IRFET™ de MOSFET de potencia está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Tiene aplicaciones como rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos de alta frecuencia e interruptores rígidos.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Corriente nominal alta
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-262 de 3 pines
