MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 5.2 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
217-2489
Nº ref. fabric.:
IPA65R1K5CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.65mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

29.75mm

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo

Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)

Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)

R g integrado optimizado

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