MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 7.2 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2486
- Nº ref. fabric.:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,337 € | 16,85 € |
| 100 - 200 | 0,263 € | 13,15 € |
| 250 - 450 | 0,246 € | 12,30 € |
| 500 - 1200 | 0,229 € | 11,45 € |
| 1250 + | 0,212 € | 10,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2486
- Nº ref. fabric.:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 29.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Longitud | 10.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 29.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Longitud 10.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Pérdidas extremadamente bajas debido a unos FOMRds muy bajos en*QG y. EOSS
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
Apto para aplicaciones de grado estándar
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