MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
214-9104
Nº ref. fabric.:
IPS65R1K0CEAKMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-251

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.4 mm

Altura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Fácil de usar/conducir

Resistencia a conmutación muy alta

Apto para aplicaciones de grado estándar

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