MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 6.8 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
220-7438
Nº ref. fabric.:
IPS60R1K0CEAKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-251

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

61W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

6.22mm

Anchura

2.4 mm

Estándar de automoción

No

Infineon Cool MOS CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como súper unión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 600V, 650V y 700V Cool MOS CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo

Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)

Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)

R g integrado optimizado

Bajas pérdidas de conducción

Pérdidas de conmutación bajas

Adecuado para conmutación dura y suave

Comportamiento de conmutación fácil de controlar

Mejora de la eficiencia y consiguiente reducción del consumo de energía

Menos esfuerzo en el diseño

Fácil de utilizar

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