MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 6.8 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7438
- Nº ref. fabric.:
- IPS60R1K0CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7438
- Nº ref. fabric.:
- IPS60R1K0CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 61W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.22mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 61W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.22mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Cool MOS CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como súper unión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 600V, 650V y 700V Cool MOS CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.
Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)
R g integrado optimizado
Bajas pérdidas de conducción
Pérdidas de conmutación bajas
Adecuado para conmutación dura y suave
Comportamiento de conmutación fácil de controlar
Mejora de la eficiencia y consiguiente reducción del consumo de energía
Menos esfuerzo en el diseño
Fácil de utilizar
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