Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPS60R1K0CEAKMA1, VDSS 650 V, ID 6,8 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, 2elementos

Infineon Cool MOS CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como súper unión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 600V, 650V y 700V Cool MOS CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)
R g integrado optimizado
Bajas pérdidas de conducción
Pérdidas de conmutación bajas
Adecuado para conmutación dura y suave
Comportamiento de conmutación fácil de controlar
Mejora de la eficiencia y consiguiente reducción del consumo de energía
Menos esfuerzo en el diseño
Fácil de utilizar