MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 16 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
262-6775
Nº ref. fabric.:
IRFU3910PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-251

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

115mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.39mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Tiene una resistencia de conexión muy baja. Proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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