MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 16 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 262-6775
- Nº ref. fabric.:
- IRFU3910PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 262-6775
- Nº ref. fabric.:
- IRFU3910PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 115mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 115mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Tiene una resistencia de conexión muy baja. Proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
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