MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 2 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 219-6014
- Nº ref. fabric.:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 219-6014
- Nº ref. fabric.:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 SJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 370mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 SJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 370mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Diseñado para satisfacer las crecientes necesidades de los consumidores en el ámbito de los MOSFET de alta tensión, la última tecnología CoolMOS™ P7 de 950V V se centra en el mercado de SMPS de baja potencia. Con 50V V más de tensión de bloqueo que su predecesor CoolMOS™ C3 de 900V V, la serie CoolMOS™ P7 de 950V V ofrece un rendimiento excepcional en términos de eficiencia, comportamiento térmico y facilidad de uso. Al igual que los demás miembros de la familia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 se suministra con una protección ESD de diodo Zener integrada. El diodo integrado mejora considerablemente la solidez de ESD, reduciendo así la pérdida de rendimiento relacionada con ESD y alcanzando niveles excepcionales de facilidad de uso. CoolMOS™ P7 se ha desarrollado con la mejor VGS(th) de su clase de 3V V y una tolerancia estrecha de solo ± 0,5V V, lo que facilita su accionamiento y diseño.
La mejor VGS(th) de su clase de 3V V y la variación VGS(th) más pequeña de ±0,5V V
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
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