MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
214-9109
Nº ref. fabric.:
IPS80R900P7AKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.22mm

Longitud

6.7mm

Anchura

2.35 mm

Estándar de automoción

No

La Infineon más reciente serie 800V CoolMOS P7 establece un nuevo punto de referencia en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, como resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de más de 18 años de Infineon. Son fáciles de manejar y de poner en paralelo, lo que permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro en listas de materiales y costes de montaje más bajos.

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