MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4716
- Nº ref. fabric.:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*
26,775 €
(exc. IVA)
32,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 30 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,357 € | 26,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4716
- Nº ref. fabric.:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 800 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 800 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 800 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
