MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R4K5P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 219-5997
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,55 € | 13,75 € |
| 125 - 225 | 0,522 € | 13,05 € |
| 250 - 600 | 0,501 € | 12,53 € |
| 625 - 1225 | 0,479 € | 11,98 € |
| 1250 + | 0,385 € | 9,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 219-5997
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie de MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 800V V Infineon es una solución perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia ya que satisface completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura de MOSFET de 2 °C a 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia mediante pérdidas de conmutación más bajas y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de listas de materiales y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.
Fácil de manejar y diseñar
Mejor rendimiento de producción al reducir los fallos relacionados con ESD
Menos problemas de producción y menor rendimiento en campo
Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar los diseños
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