MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R4K5P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 219-5997
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
14,55 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,582 € | 14,55 € |
| 125 - 225 | 0,554 € | 13,85 € |
| 250 - 600 | 0,53 € | 13,25 € |
| 625 - 1225 | 0,506 € | 12,65 € |
| 1250 + | 0,408 € | 10,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 219-5997
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
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