MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 219-5996
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
513,00 €
(exc. IVA)
621,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,171 € | 513,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 219-5996
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.7mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A - IPN80R4K5P7ATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para tareas de control y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona de manera fiable en un amplio rango ambiente y está diseñado para su uso donde se requiere un bloqueo de tensión robusto y una capacidad de corriente continua moderada.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 800 V permite aplicaciones de alta tensión
• La RDS(on) de 450 mΩ limita las pérdidas por conducción durante la conmutación
• La carga de puerta típica de 4 nC reduce los requisitos de energía de accionamiento
• La corriente de drenaje continua de 1.5 A admite cargas de estado estable
• La disipación de potencia máxima de 6 W gestiona el estrés térmico durante el funcionamiento
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• La RDS(on) de 450 mΩ limita las pérdidas por conducción durante la conmutación
• La carga de puerta típica de 4 nC reduce los requisitos de energía de accionamiento
• La corriente de drenaje continua de 1.5 A admite cargas de estado estable
• La disipación de potencia máxima de 6 W gestiona el estrés térmico durante el funcionamiento
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación fuera de línea que manejan altas tensiones
• Ideal para convertidores de impulso en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de potencia de modo conmutado con corrientes moderadas
• Se puede utilizar para dispositivos de prueba de semiconductores que requieren 800 V
• Se utiliza con conjuntos de montaje en superficie en placas de alimentación compactas
• Ideal para convertidores de impulso en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de potencia de modo conmutado con corrientes moderadas
• Se puede utilizar para dispositivos de prueba de semiconductores que requieren 800 V
• Se utiliza con conjuntos de montaje en superficie en placas de alimentación compactas
¿A qué temperaturas ambiente puede funcionar?
Funciona en un amplio rango de temperaturas de −55 °C a 150 °C, lo que proporciona idoneidad para entornos térmicos severos.
¿Cómo influye el encapsulado en el rendimiento térmico?
El encapsulado de montaje en superficie SOT‐223 ofrece un tamaño reducido al tiempo que permite una disipación de calor compatible con una disipación de potencia máxima de 6 W cuando se monta correctamente.
¿Qué consideraciones se requieren para el accionamiento de puerta?
El dispositivo acepta hasta ±20 V entre la puerta y la fuente y suele necesitar energía de accionamiento correspondiente a una carga de puerta total de 4 nC para una conmutación rápida.
¿Qué topología de conmutación se beneficia más de sus características?
El funcionamiento de mejora de canal N de alta tensión lo convierte en adecuado para topologías que requieren bloqueo de 800 V con manejo de corriente continua moderada.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines