MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4688
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 222-4688
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.3W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.3W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Excelente comportamiento térmico
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