MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
222-4688
Nº ref. fabric.:
IPN80R2K4P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

6.3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.7 mm

Altura

1.8mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.7mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.

Validación del producto conforme Estándar JEDEC

Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Excelente comportamiento térmico

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