MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
215-2533
Nº ref. fabric.:
IPN95R2K0P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

7W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie Infineon 950V Cool MOS™ P7 está diseñada para satisfacer las crecientes necesidades de los consumidores en el ámbito de los MOSFET de alta tensión. La última tecnología 950V Cool MOS™ P7 se centra en el mercado de SMPS de baja potencia. La 50V serie 950V Cool MOS™ P7 ofrece una tensión de bloqueo superior a la de su antecesor 900V Cool MOS™ C3 y ofrece un rendimiento excepcional en términos de eficiencia, comportamiento térmico y facilidad de uso. Como todos los demás miembros de la familia P7, la serie 950V Cool MOS™ P7 se suministra con protección ESD de diodo Zener integrada. El diodo integrado mejora considerablemente la resistencia ESD, reduciendo así la pérdida de rendimiento relacionada con ESD y alcanzando niveles excepcionales de facilidad de uso. El MOS™ P7 frío se ha desarrollado con la mejor VGS(the) de su clase de 3V y una tolerancia estrecha de solo ± 0,5 V, lo que facilita su accionamiento y diseño.

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