MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R2K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4689
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
12,44 €
(exc. IVA)
15,06 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5760 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,622 € | 12,44 € |
| 100 - 180 | 0,484 € | 9,68 € |
| 200 - 480 | 0,454 € | 9,08 € |
| 500 - 980 | 0,423 € | 8,46 € |
| 1000 + | 0,392 € | 7,84 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4689
- Nº ref. fabric.:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.3W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.3W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Excelente comportamiento térmico
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, SOT-223 de 3 pines