MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
222-4717
Nº ref. fabric.:
IPU80R4K5P7AKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-251

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

13W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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