MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPS80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
220-7441
Nº ref. fabric.:
IPS80R750P7AKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

51W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Altura

6.22mm

Anchura

2.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones típicas de devolución. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

El mejor FOM R DS(on) * E OSS de su clase; QG, C is y C oss reducidos

El mejor DPAK R DS(on) de su clase de 280mΩ

El mejor de su clase V (GS)el de 3V y el más pequeño V (GS)la variación De ± 0,5 V.

Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)

La mejor calidad y fiabilidad de su clase

Cartera totalmente optimizada

Ganancia de eficiencia del 0,1 % al 0,6 % y de 2 °C a 8 °C más baja Temperatura de MOSFET en comparación con el Cool MOS™ C3

Permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro en LDM y menor coste de montaje

Fácil de manejar y de diseñar

Mejor rendimiento de producción mediante la reducción de fallos relacionados con ESD

Menos problemas de producción y menos retornos de campo

Piezas adecuadas fáciles de seleccionar para el ajuste preciso de los diseños

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