MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPU80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7450
- Nº ref. fabric.:
- IPU80R750P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 750mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 51W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 750mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 51W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones típicas de devolución. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.
El mejor FOM R DS(on) * E OSS de su clase; QG, C is y C oss reducidos
El mejor DPAK R DS(on) de su clase de 280mΩ
El mejor de su clase V (GS)el de 3V y el más pequeño V (GS)la variación De ± 0,5 V.
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Cartera totalmente optimizada
Ganancia de eficiencia del 0,1 % al 0,6 % y de 2 °C a 8 °C más baja Temperatura de MOSFET en comparación con el Cool MOS™ C3
Permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro en LDM y menor coste de montaje
Fácil de manejar y de diseñar
Mejor rendimiento de producción mediante la reducción de fallos relacionados con ESD
Menos problemas de producción y menos retornos de campo
Piezas adecuadas fáciles de seleccionar para el ajuste preciso de los diseños
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