Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPU80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, IPAK (TO-251) de 3 pines

Código RS:: 220-7450
Nº ref. fabric.:: IPU80R750P7AKMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPU80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, IPAK (TO-251) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,158 €

(exc. IVA)

1,401 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,158 €	11,58 €
50 - 90	1,10 €	11,00 €
100 - 240	1,053 €	10,53 €
250 - 490	1,007 €	10,07 €
500 +	0,937 €	9,37 €

*precio indicativo

Código RS:: 220-7450
Nº ref. fabric.:: IPU80R750P7AKMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPU80R750P7AKMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones típicas de devolución. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de LDM y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

El mejor FOM R DS(on) * E OSS de su clase

QG, C is y C oss reducidos
El mejor DPAK R DS(on) de su clase de 280mΩ
El mejor de su clase V (GS)el de 3V y el más pequeño V (GS)la variación De ± 0,5 V.
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Cartera totalmente optimizada
Ganancia de eficiencia del 0,1 % al 0,6 % y de 2 °C a 8 °C más baja Temperatura de MOSFET en comparación con el Cool MOS™ C3
Permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro en LDM y menor coste de montaje
Fácil de manejar y de diseñar
Mejor rendimiento de producción mediante la reducción de fallos relacionados con ESD
Menos problemas de producción y menos retornos de campo
Piezas adecuadas fáciles de seleccionar para el ajuste preciso de los diseños

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	IPAK (TO-251)
Serie	CoolMOS™ P7
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,75 O
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Número de Elementos por Chip	1

Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPU80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, IPAK (TO-251) de 3 pines

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