MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA65R1K0CEXKSA1, VDSS 650 V, ID 7.2 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
217-2487
Número de artículo Distrelec:
304-39-405
Nº ref. fabric.:
IPA65R1K0CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.65mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

29.75mm

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Pérdidas extremadamente bajas debido a unos FOMRds muy bajos en*QG y. EOSS

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

Apto para aplicaciones de grado estándar

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