MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA65R1K0CEXKSA1, VDSS 650 V, ID 7.2 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
217-2487
Número de artículo Distrelec:
304-39-405
Nº ref. fabric.:
IPA65R1K0CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

29.75mm

Longitud

10.65mm

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Pérdidas extremadamente bajas debido a unos FOMRds muy bajos en*QG y. EOSS

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

Apto para aplicaciones de grado estándar

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