MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA95R750P7XKSA1, VDSS 950 V, ID 9 A, P, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2492
- Nº ref. fabric.:
- IPA95R750P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
9,98 €
(exc. IVA)
12,08 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 410 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,998 € | 9,98 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2492
- Nº ref. fabric.:
- IPA95R750P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Serie | P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 750mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Altura | 29.75mm | |
| Longitud | 10.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Serie P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 750mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Altura 29.75mm | ||
Longitud 10.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La última serie Infineon 950V CoolMOS™ P7 Marca un nuevo banco en tecnologías de súper unión 950V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
El mejor FOMRDS de su clase (on)*Eoss; QG, CISS y Coss reducidos
El mejor V(GS)th de su clase de 3V y la variación V(GS)th más pequeña de ±0,5 V.
Protección ESD de diodo Zener integrada
La mejor calidad y fiabilidad CoolMOS™ de su clase
Cartera totalmente optimizada
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 950 V P, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, TO-220 de 3 pines
