MOSFET Infineon IPA95R1K2P7XKSA1, VDSS 950 V, ID 6 A, TO-220 FP de 3 pines
- Código RS:
- 219-5990
- Nº ref. fabric.:
- IPA95R1K2P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/08/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 50)
1,172 €
(exc. IVA)
1,418 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
---|---|---|
50 - 50 | 1,172 € | 58,60 € |
100 - 200 | 0,937 € | 46,85 € |
250 - 450 | 0,879 € | 43,95 € |
500 - 950 | 0,809 € | 40,45 € |
1000 + | 0,75 € | 37,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 219-5990
- Nº ref. fabric.:
- IPA95R1K2P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Infineon Diseñado para satisfacer las crecientes necesidades de los consumidores en el ámbito de los MOSFET de alta tensión, la última tecnología CoolMOS™ P7 de 950V V se centra en el mercado de SMPS de baja potencia. Con 50V V más de tensión de bloqueo que su predecesor CoolMOS™ C3 de 900V V, la serie CoolMOS™ P7 de 950V V ofrece un rendimiento excepcional en términos de eficiencia, comportamiento térmico y facilidad de uso. Al igual que los demás miembros de la familia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 se suministra con una protección ESD de diodo Zener integrada. El diodo integrado mejora considerablemente la solidez de ESD, reduciendo así la pérdida de rendimiento relacionada con ESD y alcanzando niveles excepcionales de facilidad de uso. CoolMOS™ P7 se ha desarrollado con la mejor VGS(th) de su clase de 3V V y una tolerancia estrecha de solo ± 0,5V V, lo que facilita su accionamiento y diseño.
La mejor VGS(th) de su clase de 3V V y la variación VGS(th) más pequeña de ±0,5V V
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 6 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 950 V |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Tipo de Encapsulado | TO-220 FP |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,12 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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