MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA95R1K2P7XKSA1, VDSS 950 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
219-5991
Nº ref. fabric.:
IPA95R1K2P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

950V

Serie

CoolMOS P7

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Diseñado para satisfacer las crecientes necesidades de los consumidores en el ámbito de los MOSFET de alta tensión, la última tecnología CoolMOS™ P7 de 950V V se centra en el mercado de SMPS de baja potencia. Con 50V V más de tensión de bloqueo que su predecesor CoolMOS™ C3 de 900V V, la serie CoolMOS™ P7 de 950V V ofrece un rendimiento excepcional en términos de eficiencia, comportamiento térmico y facilidad de uso. Al igual que los demás miembros de la familia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 se suministra con una protección ESD de diodo Zener integrada. El diodo integrado mejora considerablemente la solidez de ESD, reduciendo así la pérdida de rendimiento relacionada con ESD y alcanzando niveles excepcionales de facilidad de uso. CoolMOS™ P7 se ha desarrollado con la mejor VGS(th) de su clase de 3V V y una tolerancia estrecha de solo ± 0,5V V, lo que facilita su accionamiento y diseño.

La mejor VGS(th) de su clase de 3V V y la variación VGS(th) más pequeña de ±0,5V V

Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)

La mejor calidad y fiabilidad de su clase

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