MOSFET Infineon IPAN60R800CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 8,4 A, TO-220 FP de 3 pines
- Código RS:
- 217-2498
- Nº ref. fabric.:
- IPAN60R800CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
10 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 50)
0,79 €
(exc. IVA)
0,96 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,79 € | 39,50 € |
| 100 - 200 | 0,608 € | 30,40 € |
| 250 - 450 | 0,569 € | 28,45 € |
| 500 - 1200 | 0,529 € | 26,45 € |
| 1250 + | 0,49 € | 24,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2498
- Nº ref. fabric.:
- IPAN60R800CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.
Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)
R g integrado optimizado
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)
R g integrado optimizado
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 8,4 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 FP |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 800 meses |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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