MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS60R800CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 8.4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9103
- Nº ref. fabric.:
- IPS60R800CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,675 € | 16,88 € |
| 125 - 225 | 0,526 € | 13,15 € |
| 250 - 600 | 0,493 € | 12,33 € |
| 625 - 1225 | 0,459 € | 11,48 € |
| 1250 + | 0,425 € | 10,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9103
- Nº ref. fabric.:
- IPS60R800CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.22mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.22mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Fácil de usar/conducir
Resistencia a conmutación muy alta
Apto para aplicaciones de grado estándar
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