MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS60R1K5CEAKMA1, VDSS 600 V, ID 5 A, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
218-3075
Nº ref. fabric.:
IPS60R1K5CEAKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-251

Serie

600V CoolMOS CE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

49W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.4 mm

Altura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N Infineon serie 600V CoolMOS™. El CoolMOS™ CE es adecuado para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, lo que mejora la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia.

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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