MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP045N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 137 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2555
- Número de artículo Distrelec:
- 304-31-966
- Nº ref. fabric.:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,941 € | 19,41 € |
| 20 - 40 | 1,844 € | 18,44 € |
| 50 - 90 | 1,766 € | 17,66 € |
| 100 - 240 | 1,688 € | 16,88 € |
| 250 + | 1,571 € | 15,71 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2555
- Número de artículo Distrelec:
- 304-31-966
- Nº ref. fabric.:
- IPP045N10N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 88nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Altura | 29.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 88nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Altura 29.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 100V de Infineon ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS(on) como en FOM (factor de mérito).
Excelente rendimiento de conmutación, el R DS(on) más bajo del mundo
Q g y Q gd muy bajo
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
Conformidad con RoHS, sin halógenos
Índice de protección MSL1 2