MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 137 A, N, TO-252
- Código RS:
- 258-7069
- Nº ref. fabric.:
- IPB042N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-7069
- Nº ref. fabric.:
- IPB042N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 137A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 137A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia OptiMOS 3 de Infineon ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, este producto logra una reducción del 30 por ciento tanto en Rds on como en FOM.
Excelente rendimiento de conmutación
El RDS más bajo del mundo
Sin halógenos conforme con RoHS
Nivel de protección MSL1 2