MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S58R4ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
217-2589
Nº ref. fabric.:
IPZ40N04S58R4ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPZ

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.7nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

34W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon 40V, N-Ch, 8,4 MΩ máx., MOSFET de automoción, S3O8, OptiMOS™-5.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

Canal N - modo de mejora - nivel normal

Certificación AEC Q101

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

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