MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
229-1812
Nº ref. fabric.:
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PQFN

Serie

IAUT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El IAUZ40N10S5N130 es un MOSFET de 80 V de 10 mR en un encapsulado S3O8 de 3,3 x 3,3 mm2, que utiliza la tecnología líder OptiMOSTM-5 de Infineon.

Resumen de las características


•OptiMOSTM 5: MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

•Canal N - Modo de mejora - Nivel normal

•Calificación AEC Q101

•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

•Temperatura de funcionamiento de 175 °C

•Producto ecológico (compatible con RoHS)

•100 % probado en avalancha

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