MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

1.105,00 €

(exc. IVA)

1.335,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 27 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,221 €1.105,00 €

*precio indicativo

Código RS:
229-1851
Nº ref. fabric.:
IPZ40N04S55R4ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPZ

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3 mm

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de nivel normal de canal N Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.

Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101

Enlaces relacionados