MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 100 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2594
- Nº ref. fabric.:
- IRF200P223
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,808 € | 95,20 € |
| 50 - 100 | 3,617 € | 90,43 € |
| 125 + | 3,465 € | 86,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2594
- Nº ref. fabric.:
- IRF200P223
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 34.9mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 34.9mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia Infineon Strong IRFET™ de MOSFET de potencia está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. .
Puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica a dv/dt
Capacitancia completamente caracterizada y SOA de avalancha
Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados
Sin plomo ; Compatible con RoHS ; Libre de halógenos
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