MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
919-4810
Nº ref. fabric.:
IRFP250NPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

123nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.9mm

Altura

20.3mm

Anchura

5.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 214 W - IRFP250NPBF


Este MOSFET de potencia está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones electrónicas. Como MOSFET de canal N, aumenta eficazmente el flujo de corriente cuando se aplica tensión. Destaca por su capacidad para gestionar altos niveles de corriente manteniendo una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto consumo.

Características y ventajas


• La corriente de drenaje continua nominal de 30 A garantiza un rendimiento sólido

• Capacidad de disipación de 214 W para aplicaciones pesadas

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V contribuye a la fiabilidad del dispositivo

• La baja Rds(on) de 75 mΩ minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento

• El modo Enhancement mejora el control y la eficacia en aplicaciones de circuitos

• Compatible con el encapsulado TO-247AC para una integración perfecta en los sistemas existentes

Aplicaciones


• Fuentes de alimentación para automatización industrial

• Accionamiento de cargas de alta intensidad en circuitos electrónicos

• Convertidores e inversores en sistemas de energías renovables

• Control del motor que requieren una conmutación rápida

¿Cómo soporta este MOSFET las altas temperaturas?


Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, funciona eficazmente en entornos de alta temperatura, garantizando un rendimiento constante en condiciones de estrés.

¿Cuáles son las implicaciones de la on-resistencia especificada?


Un bajo Rds(on) de 75 mΩ se traduce en una reducción de las pérdidas de potencia, lo que mejora la eficiencia general y disminuye la generación de calor durante el uso.

¿Este dispositivo es adecuado para aplicaciones pulsadas?


Sí, puede manejar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 120 A, lo que lo hace apropiado para aplicaciones de corta duración y alta corriente.

¿Cómo gestiona la tensión de puerta durante el funcionamiento?


El dispositivo admite una gama de tensiones de puerta-fuente de -20 V a +20 V, lo que proporciona flexibilidad en diversos circuitos de control.

¿Qué significan las clasificaciones de avalancha?


La clasificación de energía de avalancha de un solo impulso de 315 mJ indica su capacidad para soportar breves picos de energía, salvaguardándola en condiciones de fallo.

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