MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
124-8762
Nº ref. fabric.:
IRFP250MPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

123nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

16.13mm

Altura

21.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 214 W - IRFP250MPBF


Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un alto rendimiento y eficiencia en una gran variedad de aplicaciones. Ofrece una corriente de drenaje continua máxima de 30 A y una tensión nominal de drenaje-fuente de 200 V, lo que lo hace adecuado para tareas en los sectores de la automatización y la electrónica. Su diseño garantiza un rendimiento térmico eficaz, lo que potencia su uso en las industrias eléctrica y mecánica.

Características y ventajas


• El valor nominal dinámico dv/dt garantiza la estabilidad durante el funcionamiento

• Capacidad térmica mejorada, con una temperatura de funcionamiento de hasta 175°C

• La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia

• Protección total contra avalanchas y sobretensiones

• Requisitos de accionamiento sencillos para facilitar la integración en los diseños

Aplicaciones


• Adecuado para conmutación de alta frecuencia

• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores

• Aplicable en sistemas de control de motores y accionamientos industriales

• Utilizados en sistemas de energía renovable, como los inversores solares

¿Cómo se gestiona el rendimiento térmico en entornos exigentes?


Las características de resistencia térmica están diseñadas para una disipación eficaz del calor, permitiendo el funcionamiento desde -55°C hasta +175°C.

¿Cuáles son las implicaciones de la baja Rds(on)?


La baja resistencia a la conexión se traduce en una menor disipación de potencia durante la conducción, lo que mejora la eficiencia global del sistema y reduce el estrés térmico sobre los componentes.

¿Se puede utilizar este dispositivo para configuraciones en paralelo?


Sí, el diseño facilita el funcionamiento en paralelo, aumentando la capacidad de corriente y mejorando el rendimiento térmico en aplicaciones de alta potencia.

¿Qué hay que tener en cuenta al seleccionar la tensión de accionamiento de la puerta?


Una tensión de accionamiento de puerta de entre 2 V y 4 V es óptima para garantizar un rendimiento de conmutación suficiente y evitar un funcionamiento no deseado.

¿Qué medidas existen para la protección contra sobretensiones?


El MOSFET está totalmente homologado contra avalanchas, lo que lo protege contra sobretensiones transitorias y garantiza un funcionamiento fiable en condiciones fluctuantes.

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