MOSFET Infineon IRFP250MPBF, VDSS 200 V, ID 30 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 124-8762
- Nº ref. fabric.:
- IRFP250MPBF
- Fabricante:
- Infineon
275 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En un Tubo de 25)
1,67 €
(exc. IVA)
2,02 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
---|---|---|
25 - 25 | 1,67 € | 41,75 € |
50 - 100 | 1,336 € | 33,40 € |
125 - 225 | 1,253 € | 31,325 € |
250 - 600 | 1,152 € | 28,80 € |
625 + | 1,069 € | 26,725 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-8762
- Nº ref. fabric.:
- IRFP250MPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 30 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
Serie | HEXFET |
Tipo de Encapsulado | TO-247AC |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 75 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 214 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Longitud | 16.13mm |
Ancho | 5.2mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 123 nC a 10 V |
Altura | 21.1mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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