MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ0589NSATMA1, VDSS 30 V, ID 17 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 218-2984
- Nº ref. fabric.:
- BSZ0589NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 218-2984
- Nº ref. fabric.:
- BSZ0589NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.4mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.4mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET está optimizado para cargador inalámbrico de alto rendimiento.
FOMSW bajo para SMPS de alta frecuencia
Resistencia de conexión muy baja RDS(on) a VGS=4,5 V.
100 % a prueba de avalancha
Resistencia térmica superior