MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 40 A, N, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0715
Nº ref. fabric.:
BSZ084N08NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

BSZ

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.4mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión directa Vf

0.86V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC 61249-2-21

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 de 80 V ofrece una reducción de RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores.

Eficiencia del sistema más alta

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

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