MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ084N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 40 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0717
- Nº ref. fabric.:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,32 € | 2,64 € |
| 20 - 48 | 1,135 € | 2,27 € |
| 50 - 98 | 1,055 € | 2,11 € |
| 100 - 198 | 0,97 € | 1,94 € |
| 200 + | 0,91 € | 1,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0717
- Nº ref. fabric.:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.4mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Tensión directa Vf | 0.86V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.4mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Tensión directa Vf 0.86V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 de 80 V ofrece una reducción de RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores.
Eficiencia del sistema más alta
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia