MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, PG-HSOF-5 de 8 pines

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Código RS:
218-2987
Nº ref. fabric.:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PG-HSOF-5

Serie

IAUA

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS™-5 de potencia de canal N. Se utiliza para aplicaciones de automoción.

Canal N - modo de mejora - nivel normal

MSL3 hasta 260 °C de reflujo de Peak

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Prueba de avalancha al 100 %

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