MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 7.6 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
218-2991
Nº ref. fabric.:
IPA50R800CEXKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Serie

500V CoolMOS CE

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

0.83V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

29.75mm

Anchura

4.9 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.15mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Este MOSFET se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, TV LCD y PDP e iluminación interior.

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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