MOSFET, N-Canal Infineon IPA50R199CPXKSA1, VDSS 550 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 897-7453
- Nº ref. fabric.:
- IPA50R199CPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 4 unidades)*
12,83 €
(exc. IVA)
15,53 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 3,208 € | 12,83 € |
| 20 - 36 | 3,045 € | 12,18 € |
| 40 - 96 | 2,743 € | 10,97 € |
| 100 - 196 | 2,465 € | 9,86 € |
| 200 + | 2,343 € | 9,37 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 897-7453
- Nº ref. fabric.:
- IPA50R199CPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 550V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 199mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.85mm | |
| Longitud | 10.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 550V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 199mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.85mm | ||
Longitud 10.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon CoolMOS serie CP, corriente de drenaje continua máxima de 17 A, disipación de potencia máxima de 139 W - IPA50R199CPXKSA1
Este MOSFET es un componente de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones en los sectores de la automatización, la electrónica y la electricidad. Responde a la necesidad de una gestión y un control eficientes de la energía, mejorando así el rendimiento global del sistema. Con características como una alta capacidad de corriente de drenaje continua y un manejo de voltaje sustancial, es una elección importante para diseños electrónicos avanzados.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 17 A para un suministro de energía robusto
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 550 V para diversas aplicaciones
• Bajo Rds(on) a 199mΩ para mejorar la eficiencia
• Diseño en modo de mejora de las características de conmutación
• Encapsulado TO-220 FP para una instalación sencilla
• Alta potencia disipada de 139 W adecuada para entornos difíciles
Aplicaciones
• Convertidores de alta potencia para mejorar la eficiencia energética
• Control del motor que requieren una corriente elevada
• Sistemas de automatización industrial para una mayor fiabilidad
• Fuentes de alimentación conmutadas que necesitan componentes eficientes
¿Cuáles son los límites térmicos de utilización?
El producto funciona entre -55 °C y +150 °C, lo que proporciona versatilidad para diversos entornos.
¿Cómo influye la tensión umbral de puerta en el rendimiento?
La tensión umbral de puerta varía de 2,5 V a 3,5 V, optimizando el rendimiento de conmutación según las condiciones del circuito.
¿Qué opciones de embalaje existen para este componente?
Se presenta en un encapsulado TO-220 FP, que facilita el montaje a través de orificios para su fácil integración en circuitos.
¿El componente es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, normalmente funciona con una carga de puerta de 34nC a 10V, lo que le permite funcionar eficientemente en aplicaciones de alta frecuencia.
¿Cómo me aseguro de que la instalación es correcta?
Consulte las recomendaciones de la hoja de datos sobre el montaje y las conexiones para lograr un rendimiento y una seguridad óptimos durante el uso.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines