MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP50R190CEXKSA1, VDSS 550 V, ID 18.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
914-0227
Número de artículo Distrelec:
304-44-440
Nº ref. fabric.:
IPP50R190CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

127W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.85V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.36mm

Altura

15.95mm

Anchura

4.57 mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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