MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R280P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 12 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3005
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R280P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,543 € | 8,15 € |
| 75 - 135 | 0,515 € | 7,73 € |
| 150 - 360 | 0,493 € | 7,40 € |
| 375 - 735 | 0,472 € | 7,08 € |
| 750 + | 0,452 € | 6,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3005
- Nº ref. fabric.:
- IPA60R280P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon CoolMOS™ serie 600V P7 de MOSFET de potencia de canal N. La plataforma de generación CoolMOS™ 7th es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 600V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 600V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño.
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación
Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación
Excelente resistencia ESD > 2kV (HBM) para todos los productos