MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAW60R360P7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 9 A, N, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3017
Nº ref. fabric.:
IPAW60R360P7SXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 600V CoolMOS™ P7. Tiene pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas, lo que hace que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas y mucho más frías. La plataforma de generación CoolMOS™ 7th es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies.

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación

Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación

Excelente resistencia ESD >2kV (HBM) para todos los productos

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