MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD096N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 73 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3038
Nº ref. fabric.:
IPD096N08N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

73A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.6mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

No

Infineon MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo; En conformidad con RoHS

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