MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD096N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 73 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3038
Nº ref. fabric.:
IPD096N08N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

73A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.6mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo; En conformidad con RoHS

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